優れた物理的特性を持つダイヤモンド半導体は、次世代における究極の半導体材料と評価されている。これをEVに活用すれば、電力損失を抑えて極限の変換効率を達成し、車両の航続距離が最大10%向上するという試算がある。
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ダイヤモンド半導体（究極の半導体素材）「第2のTSMC」創出に向けたダイヤモンド半導体の産業的・経済的波及効果と戦略的展望
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1. 次世代半導体産業の胎動と国家プロジェクトの背景
次世代のパワーデバイスとして「ダイヤモンド半導体」の実用化に向けた動きが活発化しており、特定の製造技術に特化した新たな産業クラスター、すなわち「第2のTSMC」とも呼ぶべき半導体製造拠点の中核となる可能性に期待が高まっている 1。この潮流を象徴する出来事として、2026年度内に福島県大熊町にて、世界初となるダイヤモンド半導体の量産工場が稼働を開始する計画が進行している 1。同工場を運営するのは、北海道大学と産業技術総合研究所（産総研）の共同研究成果を基盤として2022年に設立された大熊ダイヤモンドデバイス（ODD）である 1。
この動きの起点には、2011年の福島第一原子力発電所事故という極めて深刻な課題が存在する 1。原子炉内部の高放射線および高温環境下においては、現代の電子機器を支えるシリコン（Si）ベースの半導体素子は機能不全に陥り、損傷した原子炉内のデータ収集や燃料デブリの安全な取り出しといった廃炉作業の進行を著しく阻害していた 1。この「既存の電子機器では耐えられない極限環境」を克服するため、日本政府の支援のもと、産総研、日本原子力研究開発機構（JAEA）、高エネルギー加速器研究機構（KEK）、物質・材料研究機構（NIMS）、および北海道大学が参画する国家研究プロジェクトが発足した 1。困難な課題を技術的ブレイクスルーによって解決しようとするこの挑戦は、学術的探求にとどまらない工学的な実用化への転換点となった 1。
さらに、ダイヤモンド半導体の社会実装に向けた動きはスタートアップ企業のみに留まらない。株式会社Spicy Companyをはじめとする民間企業も、人工ダイヤモンドの製造から半導体応用、国際的なサプライチェーン構築までを一体化させた新事業フェーズへの移行を発表している 3。同社は、化学気相成長（CVD）法や高温高圧（HPHT）製法を用いた素材調達のネットワークを構築し、国内外の商社や研究機関への安定供給ルートの確立を進めている 3。このような官民を挙げたエコシステムの形成は、日本政府が策定する「半導体・デジタル産業戦略」における高付加価値化の方向性とも合致しており、特定の対立国やレアアースに依存しない、自律的かつ強靭な国内サプライチェーンの構築を目指すものである 1。
2. ダイヤモンド半導体の物理的特性と優位性
ダイヤモンド半導体は、その極めて優れた物理的特性から次世代のパワーエレクトロニクスおよび高周波デバイスにおける「究極の半導体材料」と評価されている 1。従来のシリコン（Si）や、現在普及が進んでいる次世代素材の炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）と比較して、多くのパラメーターで理論上の限界値が著しく高いことが特徴である 6。
以下の表は、主要な半導体材料の物理特性を比較したものである。
| 物理特性 | シリコン (Si) | 炭化ケイ素 (4H-SiC) | 窒化ガリウム (GaN) | ダイヤモンド |
|---|---|---|---|---|
| バンドギャップ (eV) 5 | 1.1 | 3.26 | 3.39 | 5.46 – 5.47 |
| 絶縁破壊電界 (MV/cm) 5 | 0.3 | 3.0 | 3.3 | 10 – 20 |
| 熱伝導率 (W/cm·K) 5 | 1.5 | 4.9 | 1.3 | 22 – 23 |
| 電子移動度 (cm²/V·s) 5 | 1400 | 900 | 2000 | 4000 |
| 正孔移動度 (cm²/V·s) 5 | 600 | 120 | 200 | 3800 |
パラダイムシフトをもたらすメリットのメカニズム
第一に、極めて高い熱伝導率の恩恵が挙げられる。ダイヤモンドの熱伝導率（22〜23 W/cm·K）はシリコンの約13〜15倍、銅の約5倍に達する 3。半導体デバイスは高出力で動作する際、内部抵抗により大量の熱を発生し、これが性能低下や素子の破壊（熱暴走）を招く原因となる。従来の高電圧パワーモジュールには大規模な水冷システムやヒートシンクが不可欠であったが、ダイヤモンド半導体を用いることで、局所的な熱負荷を極めて効率的に分散・放散することが可能となる 10。極薄のナノメンブレン技術などを応用すれば局所熱負荷を最大で10分の1に低減でき、冷却システムの抜本的な簡略化や、パッシブ冷却のみでの動作が視野に入る 10。
第二に、高電圧・低損失動作の実現である。絶縁破壊電界がシリコンの10倍以上、SiCの3倍以上に達するため、非常に高い電圧を印加しても素子が破壊されにくい 3。この特性により、ドリフト層と呼ばれる電圧を保持するための層を極めて薄く設計することができ、結果としてオン抵抗（電力通過時に発生する損失）を大幅に低減できる 5。高電圧を扱う電力変換器やインバータにおいて、電力損失を最小限に抑えることはシステム全体のエネルギー効率向上に直結する。
第三に、極限環境（高温および高放射線）での安定動作である。5.46 eVという超広帯域ギャップ（Ultra-Wide Bandgap: UWBG）を持つため、熱励起による意図しないキャリア発生が極めて少なく、シリコンが動作限界を迎えるような高温環境下でも本来の半導体特性を維持する 5。また、炭素原子同士の共有結合が極めて強固であるため、高エネルギー粒子が飛び交う放射線環境下でも結晶構造が破壊（変位損傷）されにくく、誤動作が起こりにくいという優れた耐放射線性を有する 8。この特性が、福島第一原発の廃炉作業や航空宇宙分野での利用において決定的な優位性をもたらす 1。
実装に向けたデメリットと技術的課題
一方で、社会実装に向けて克服すべき技術的課題（デメリット）も明確に存在している。最大の課題は製造難易度とそれに伴う高いコストである。天然のダイヤモンドは不純物が多く半導体基板としては使用できないため、CVD法やHPHT法による人工合成が必須となる 3。しかし、デバイス製造に不可欠な大口径で欠陥の少ない単結晶ウェハを安定的に育成することは極めて難易度が高く、これが製造コストを高く留める主因となっている 9。
さらに、半導体として機能させるためのドーピング工程にも物理的な障壁がある。半導体は不純物（ドーパント）を添加して電子を多く持つn型と、正孔（ホール）を多く持つp型を作成することでPN接合を形成する。しかし、ダイヤモンドは結晶格子が極めて緻密であるため、特にn型ドーピングを安定的に実現することが物理的に困難とされてきた 5。現在、研究および実用化が先行しているのは、主にp型のショットキーバリアダイオード（SBD）や単極性の電界効果トランジスタ（FET）といった構造である 5。これらの課題が解決されなければ、高度な論理回路などを構成するバイポーラデバイスの開発は制限されることとなる。
3. 実用化と量産化のロードマップに基づく実現可能性
長年にわたり、ダイヤモンド半導体は「理論上は究極だが実用化は遠い素材」と見なされてきた。しかし、近年における日本国内の研究機関とスタートアップ企業による技術的ブレイクスルーと、アプローチのパラダイム転換により、実用化の蓋然性は急速に高まっている。
学術的追求から工学的「歩留まり」へのアプローチ転換
これまでの世界の研究動向は、より高いピーク性能や結晶純度の追求という学術的なアプローチに傾倒していた。これに対し、ODDを中心とする日本の研究チームは、福島原発の燃料デブリ取り出しという極めて現実的かつ過酷なミッションを背景に、「失敗が許されない環境で、安定して繰り返し動作すること」という工学的な信頼性の確保に焦点を移した 1。この結果、ラボレベルでのデバイス製造歩留まり（良品率）は、業界水準が通常5〜10％に留まる初期段階において、約90％という極めて高い数値を達成している 1。この「目的特化型の設計思想」と「製造プロセスの安定化」が、事業化の現実性を担保する最大の要因である。
大口径化に向けた複合ウェハ技術の進展
量産によるコストダウンを図るためには、ウェハの大口径化が不可欠である。この点においても技術的な進展が見られる。2026年2月、産総研と人工ダイヤモンド製造を手掛ける株式会社イーディーピー（EDP）の共同研究グループは、ダイヤモンドとシリコンのウェハを高温接合し、強固な界面と小さな反りを両立した複合ウェハの作製に成功したことを発表した 11。この技術は、既存のシリコンベースのデバイス製造工程や微細加工装置（ステッパー）との親和性が高く、複数の小面積ダイヤモンドウェハをシリコン基板上に並べて大口径化するウエハースケール製造への展開を可能にするものであり、量産化への大きなステップアップと評価されている 11。
実装に向けた具体的なマイルストーン
大熊町に建設中の量産工場では、基板設計から最終的なデバイスの組み立てに至るまで、数十の工程すべてを一気通貫で行うノウハウが蓄積されており、世界初の垂直統合型製造システムが稼働する予定である 1。2025年度にはプロトタイプの前段階の装置を福島第一原発の現場に投入して実地テストを行い、2026年度中には工場が本格稼働する計画となっている 1。
当初の生産品目は、臨界近接監視モニタシステムの検出器として用いられる中性子検出素子や、高温・高放射線環境下で動作するパワーアンプなど、特殊用途に限定される 1。しかし、この初期段階で量産ノウハウを蓄積し、歩留まりをさらに向上させることで、次なるフェーズとして宇宙航空分野や通信インフラ、そして最終的にはモビリティ（EV）や一般産業機器へと適用領域を拡大していく段階的なロードマップが描かれている。
4. 日本のマクロ経済および産業構造への波及効果
ダイヤモンド半導体の社会実装は、一素材の代替にとどまらず、日本のマクロ経済、産業構造、および経済安全保障に対して多面的なプラスの影響をもたらすと予測される。
サプライチェーンの自律化と経済安全保障の確立
先端のロジック半導体分野では、微細化技術に特化した台湾や韓国の少数のファウンドリが市場を寡占している。一方で、日本は三菱電機、富士電機、東芝、ロームといった企業群が世界トップレベルの技術を有する「パワー半導体」の領域において強固なエコシステムを維持している 1。ダイヤモンド半導体は、まさにこの日本が得意とするパワー半導体の次世代の主役となる技術である。
従来の半導体やバッテリー製造は、特定の国々に偏在するレアアースや重要鉱物に依存しており、地政学的リスク（特定国による輸出規制やサプライチェーンの分断）に極めて脆弱であった。しかし、人工ダイヤモンドの主原料はメタンガスなどの炭素源であり、特定の対立国や鉱脈に依存しない、完全な国内サプライチェーンの構築が可能となる 1。これは日本の経済安全保障戦略において極めて高い価値を持つ。さらに、製造装置分野（洗浄装置や塗布現像装置など）や素材分野（フォトレジストやシリコンウェハなど）における日本企業の高い市場シェアを背景に 4、素材合成からデバイス設計、量産プロセスに至るまで純国内で価値創出サイクルが回る「次世代半導体クラスター」の形成が期待される。
高付加価値市場への参入とデジタル赤字の縮小
世界の先端半導体デバイス市場は、AI技術の発展やデータセンター需要の拡大を背景に急成長しており、2030年には194兆円規模に達すると推計されている 12。経済産業省の戦略においても、従来の「量・ボリューム」による成長から、性能が競争優位を決定づける「高単価・高付加価値化」による成長への転換が志向されている 4。
ダイヤモンド半導体は、汎用チップではなく、高度な物理特性が要求される特化型・高付加価値デバイスとして市場に投入される。日本経済研究所の報告にあるように、中長期的な日本政府・企業の勝ち筋は「差別化チップの内製比率向上」と「日本発のプラットフォーム構築」にある 13。国内での量産体制が確立され、グローバル市場に対して高性能なパワーデバイスや高周波素子を安定供給できるようになれば、輸出産業としての競争力を飛躍的に高め、構造的な課題となっている日本のデジタル赤字を縮小させる有力な手段となる 13。
5. 影響を受ける主要産業と技術的波及のメカニズム
ダイヤモンド半導体の社会実装がもたらす技術的恩恵は多岐にわたり、特定の産業セクターにおいては既存の技術体系を根底から覆すゲームチェンジャーとなる。
モビリティおよびEV（電気自動車）産業
EV市場における最重要課題は、航続距離の延長、充電時間の短縮、そして車両重量の軽量化である。ダイヤモンドベースのインバータは、既存のSiやSiCシステムの電力変換効率（通常95〜97%程度）を凌駕し、ほぼ99%という極限のエネルギー変換効率を達成する能力を持つ 10。このわずかな効率の向上がもたらす影響は甚大である。より少ない電力損失でモーターを駆動できるため、搭載するバッテリーの容量を増やさずとも、車両の航続距離が最大10%向上するという試算が存在する 10。
さらに大きな変革は熱管理システムの領域で起こる。高負荷な急速充電時や高速走行時に発生する熱はバッテリーやインバータの寿命を縮めるため、現在のEVは水冷ポンプや大型ラジエーターといった重厚な冷却システムを搭載している。しかし、ダイヤモンドの卓越した熱伝導率を活用すれば、局所的な熱負荷を低減し、これらの重厚な冷却機構を大幅に削減、あるいは廃止できる可能性がある 10。これにより電力電子部品関連の重量が最大80%削減され、車体の軽量化を通じてさらなるエネルギー効率の向上と制動性能の改善に直結する 10。日本の自動車メーカーやTier 1部品サプライヤーにとって、この技術の早期導入はグローバルなEV競争において決定的な差別化要因となる。
次世代通信インフラ（Beyond 5G / 6G）
モバイル通信やIoTネットワークの基盤となる基地局およびデータセンターでは、膨大なデータを極めて低い遅延で処理・伝送するための高周波デバイスが求められている。次世代の6G通信では、現在の電波よりもさらに高い周波数帯であるテラヘルツ（THz）波の利用が想定されている。
ダイヤモンドは、極めて高い電子・正孔の運動量緩和時間を持ち、室温環境下でも安定して動作するコンパクトなテラヘルツ波帯デバイス（TeraFETなど）の素材として期待されている 9。特に240 GHzから600 GHzという大気への透過性が比較的高い周波数帯（大気の窓）において、優れたプラズモン共鳴特性を示すことが研究で明らかになっている 9。従来の素材では高周波動作時に発熱がボトルネックとなっていたが、ダイヤモンド半導体は熱の制約を克服しつつ大容量データの遠距離伝送を可能にする 1。基地局の消費電力を大幅に抑えながら高周波出力が可能になれば、通信インフラの運用コストと環境負荷が劇的に低減される。
航空宇宙・防衛・安全保障
過酷な環境下での動作が求められる航空機、人工衛星、防衛用レーダーシステムにおいて、システム全体のSWaP（Size, Weight, and Power：サイズ、重量、消費電力）を改善することは最優先事項である。現在、高性能レーダーには窒化ガリウム（GaN）が用いられているが、これらも高出力化に伴う発熱を処理するための液冷システムを必要とする。
これをダイヤモンドデバイスに置き換えることで、液冷システムが不要、あるいは最小限となり、SWaPが劇的に改善される 1。機器の大幅な小型軽量化が実現すれば、ペイロード（積載量）に厳格な制限があるドローンへの高性能レーダーの搭載や、人工衛星からの地球観測精度の向上、探知距離の飛躍的な延長が可能となり、防衛・安全保障分野における能力向上に直接寄与する 1。
電力インフラおよびスマートグリッド
2050年のカーボンニュートラル達成に向けて、再生可能エネルギーの導入拡大と電力網（スマートグリッド）の近代化が急務となっている 14。現在、世界の電力の約50%が何らかのパワー半導体デバイスを経由して制御されているが、再生可能エネルギーの普及や社会の電化が進むことで、10年後にはこの比率が80%まで上昇し、電力需要自体も2050年までに50%増加すると予測されている 14。
送配電システムにおいてエネルギーロスを最小化するためには、より高い電圧で電力を送る必要がある。絶縁破壊電圧が極めて高く、漏れ電流が少ないダイヤモンドデバイスを用いることで、高電圧送電時の電力変換ロスを抜本的に削減できる 14。電力網の高効率化は、化石燃料による発電への依存度を下げ、クリーンエネルギーの安定供給を根底から支えるインフラ技術となる。
| 影響を受ける産業分野 | 期待される主要な技術的波及効果・指標 |
|---|---|
| モビリティ・EV | 電力変換効率99%の達成、航続距離の最大10%延長、熱管理部品の80%軽量化 10 |
| 情報通信・6G | 240〜600GHz帯でのテラヘルツ波デバイス応用、基地局の大幅な省電力化 9 |
| 航空宇宙・防衛 | レーダーシステムの冷却機構排除によるSWaP改善、探知距離の向上 1 |
| 電力インフラ | 高電圧送電時の漏れ電流低減、スマートグリッドのエネルギーロス削減 14 |
6. 個人の日常生活におけるパラダイムシフト
消費者や一般市民の日常生活に対する影響は、直接的な新素材の登場として認識されることは少ないものの、社会インフラや各種サービスの質の向上という形で、間接的かつ不可逆的な変化をもたらす。
第一に、モビリティ体験の進化である。EVの航続距離に対する不安（レンジ・アンクザイエティ）が解消されるとともに、バッテリー搭載量の最適化によって車両価格の低下が進むことが期待される。また、重厚な冷却部品が不要になることで車両設計のデザイン自由度が増し、より広い車内空間を持つ安全で快適なEVが日常的な移動手段として広く定着する。
第二に、情報通信サービスの高度化とシームレス化である。6G通信ネットワークの普及を技術的に下支えすることで、極めて低い遅延が要求される完全な自動運転機能、触覚データを伴う遠隔医療システムの高度化、そしてメタバースやAR/VRを用いた没入型コンテンツの日常的な利用が可能になる。高周波デバイスの熱問題が解決されることで、基地局をより小型化し、都市空間のあらゆる場所に景観を損なうことなく高密度に設置できるようになる。
第三に、持続可能な社会の実現とエネルギーコストの安定化である。ダイヤモンド半導体は、採掘に伴う環境破壊を伴わない人工合成プロセスで製造されるため、ESG（環境・社会・ガバナンス）の観点から非常にクリーンな素材である 3。これを用いた送電網やデータセンターの省電力化は、社会全体の脱炭素化を促進し、個人が間接的に負担するエネルギーコスト（電気料金やサービス利用料）の長期的な抑制につながる。
7. 企業経営者に求められる事業戦略と組織変革
ダイヤモンド半導体を中心とした次世代エコシステムが形成される移行期において、国内企業の経営層は単なる技術動向の注視にとどまらず、以下の戦略的アプローチを多角的に検討し、実行に移すべきである。
差別化チップの内製化と脱外部依存
日本経済研究所の報告が指摘するように、今後の競争力の源泉は自社製品における「差別化チップ」の内製比率を高め、海外ベンダーへの依存から脱却することにある 13。自動車メーカー、重電メーカー、通信インフラベンダーは、汎用的なチップを外部から単に調達する従来の手法を見直す必要がある。自社のシステム（例えば、特有の駆動制御を要するインバータや送電モジュール）に最適化された特注のダイヤモンドデバイスを、半導体スタートアップや研究機関と共同開発するオープンイノベーション体制を構築することが重要である 3。
クロスインダストリー・アライアンスの構築
ダイヤモンド半導体の製造・実装プロセスは、素材の合成（CVD/HPHT）、異種材料とのウェハ接合、極細の微細加工、そして特殊なパッケージング技術といった多岐にわたる工程で極めて高度な技術を要求される。これらを一企業のみで完結させることはリソースの観点から現実的ではない。化学メーカー（高品質な炭素素材の提供）、機械メーカー（次世代加工装置の開発）、半導体メーカー（回路設計・量産）、そして最終製品メーカー（自動車、通信機器）による強固なクロスインダストリー（異業種間）アライアンスを構築することが不可欠である 3。特に、Spicy Companyが推進するような、国際的な製造ネットワークと国内のサプライチェーンをリンクさせる柔軟な連携戦略は有効なモデルとなる 3。
ニッチトップ戦略からの段階的マス市場展開
汎用のロジック半導体市場において、既存の巨大ファウンドリと規模の経済で直接競合することはリスクが高い。経営戦略としては、ダイヤモンドの高付加価値が明確に認められ、コスト許容度が高いニッチ市場（過酷環境用の原子力センサー、宇宙・防衛機器、超高圧送電インバータ）から市場投入を開始することが推奨される 1。この初期段階の市場で、日本企業が得意とする緻密な「すり合わせ技術」を駆使して量産技術と歩留まり向上のノウハウを蓄積する。その後、複合ウェハ技術などの進展によって製造コストが低下した段階で、EVや民生機器といった大ロットのマス市場へ展開する段階的アプローチをとることで、事業リスクを最小化しつつ市場シェアを獲得できる。
既存技術（Si, SiC, GaN）とのポートフォリオ最適化
ダイヤモンド半導体は究極の特性を持つ一方で、すべての半導体を直ちに置き換えるものではない。低コストで膨大な実績を持つシリコン、中・高耐圧領域での普及が本格化しているSiC、そして特定の高周波領域で強みを持つGaNと、それぞれの適材適所の棲み分けは今後も継続する。経営者は自社の製品ポートフォリオを精査し、どの製品群にダイヤモンドの卓越した性能（および高いコスト）が真に必要であり、どの部分は既存材料の改良で十分対応可能かを冷静に見極める必要がある。技術の成熟度とコストダウンのカーブを予測しながら、複数の素材技術に対する投資ポートフォリオを動的に最適化する視点が不可欠である。
8. 結論：次世代産業エコシステムの構築に向けて
「第2のTSMC」が日本で生まれるという期待は、スマートフォンやPC向けの汎用ロジック半導体を大量生産する巨大拠点の完全な再現という意味ではない。高電圧、高周波、そして極限環境といった特殊な要求仕様に応える「パワーおよびアナログデバイス領域において絶対的優位性を持つ、代替不可能な製造クラスター」の誕生という意味において、極めて高い妥当性と実現性を帯びている。
福島第一原発の廃炉という、他の国にはない過酷で切実な国家的課題を解決するための使命感が、学術的な性能追求から工学的な「歩留まり最適化」へと研究開発のベクトルを転換させ、結果として世界をリードする実用化ノウハウの確立に繋がった事実は、日本の産業史において特筆すべき点である 1。ダイヤモンド半導体の社会実装は、高効率なモビリティや持続可能な通信インフラをもたらすだけでなく、レアアース依存からの脱却と国内完結型サプライチェーンの構築を通じて、日本の経済安全保障を中長期的に強固なものとする。
ドーピングの物理的限界や製造コストといった技術的障壁は依然として存在しているが、産官学の強力な連携と、既存のパワー半導体や製造装置分野における日本の強靭なエコシステムが、その壁を着実に突破しつつある 4。日本の産業界がこの分野での先行者利益を確実なものとし、他産業とのクロスインダストリー展開を戦略的に推進することで、半導体産業は再び日本経済の中核的な成長エンジンとしての役割を担うこととなる。経営層には、この新素材がもたらすパラダイムシフトを中長期的な事業戦略の根幹に据え、不確実性を恐れず積極的な投資と異業種間のアライアンス構築を断行するリーダーシップが強く求められる。
引用文献
- 日本のアポロ計画 ダイヤモンド半導体という挑戦 | Coral Capital, https://coralcap.co/2026/04/japans-apollo-moment-diamond-semiconductors/
- 台湾TSMCがつくば市に半導体「後工程」の研究開発拠点を設ける狙い – ダイヤモンド・オンライン, https://diamond.jp/articles/-/273949
- 人工ダイヤモンドの製造・半導体応用・国際供給を一体化した新 …, https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000029.000090708.html
- 半導体・デジタル産業戦略の今後の方向性 – 経済産業省, https://www.meti.go.jp/policy/mono_info_service/joho/conference/semicon_digital/0014/handeji14-4.pdf
- A Review of Diamond Materials and Applications in Power Semiconductor Devices – PMC, https://pmc.ncbi.nlm.nih.gov/articles/PMC11278176/
- Wide Bandgap Semiconductor Materials in Power Electronics | Encyclopedia MDPI, https://encyclopedia.pub/entry/50661
- COMPARISON OF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS FOR POWER APPLICATIONS – UTK-EECS, https://web.eecs.utk.edu/~tolbert/publications/epe_2003_wide_bandgap.pdf
- Physical properties of Si, GaAs, SiC, GaN, and diamond. – ResearchGate, https://www.researchgate.net/figure/Physical-properties-of-Si-GaAs-SiC-GaN-and-diamond_tbl1_333366626
- Diamond for High-Power, High-Frequency, and Terahertz Plasma Wave Electronics – MDPI, https://www.mdpi.com/2079-4991/14/5/460
- How Will Diamond Technology Impact the Future of Electric Vehicle Electronics?, https://diamondsemicon.com/blog/how-will-diamond-technology-impact-the-future-of-electric-vehicle-electronics
- ダイヤモンドウエハーの作製で新技術 | つくばサイエンスニュース …, https://www.tsukuba-sci.com/?p=18469
- 先端半導体デバイスや製造装置などの世界市場を調査。2030年 …, https://www.fkg-report.jp/market-trends/2025/2259.html
- 未来はシリコンに刻まれる ～2030年、半導体100兆円市場への展望, https://www.jeri.or.jp/survey/202506-07_15/
- Next generation semiconductors: Diamond device shows highest breakdown voltage, https://hmntl.illinois.edu/news/60581
